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SK hynix anuncia desenvolvimento de próxima geração de memória HBM utilizando tecnologia de embalagem da Intel

SK hynix mira em envelopamento avançado para acelerar seu roadmap de desenvolvimento de HBM
Mundo Streaming 24 de agosto de 2026
SK hynix anuncia desenvolvimento de próxima geração de memória HBM utilizando tecnologia de embalagem da Intel

A SK hynix participou do evento Hot Chips 2026, onde apresentou suas estratégias para impulsionar o desenvolvimento das soluções de memória HBM. Um dos principais focos da empresa é empilhar uma quantidade maior de chips DRAM em cada módulo, sem perder eficiência, destacando tecnologias de embalagem como a Intel EMIB.

Atualmente, as memórias HBM mais avançadas da SK hynix utilizam uma arquitetura 2.5D em seu sistema de envelopamento, aplicando uma solução de die to die no interposer. Ao migrar para uma abordagem 3D, será viável realizar a sobreposição direta de dies, o que aumentará tanto a densidade dos componentes HBM quanto o número de camadas empilhadas.

Os avanços recentes em HBM são apresentados na tabela abaixo, com a geração mais nova sendo a HBM4, que começa a ser integrada em aceleradores avançados voltados para inteligência artificial. Os dados revelam que a principal melhoria em relação à versão anterior reside na largura de banda máxima, que atinge impressionantes 2.048GB/s.

A SK hynix planeja adotar um sistema híbrido de ligação no envelopamento das memórias HBM, com a expectativa de desenvolver módulos que superem 20 camadas. Essa inovação promete não apenas aumentar o desempenho, mas também melhorar a condutividade para uma maior eficiência energética.

SK hynix pode usar tecnologia da Intel, mas não deve deixar a TSMC

Em relação aos desafios futuros do HBM, a gigante da memória apresentou slides detalhando as dificuldades ainda associadas ao empacotamento 2.5D e como as gerações seguintes da tecnologia poderão beneficiar os módulos enquanto a empresa avança em direção ao envelopamento 3D.

Como ilustrado na imagem acima, as soluções avançadas de empacotamento incluem também a Intel EMIB; no entanto, a SK hynix não pretende abrir mão da colaboração com a TSMC e sua próxima geração CoWoS-L. Foi apresentado um comparativo demonstrando como esta nova solução da empresa taiwanesa minimiza o estresse no interposer em relação ao CoWoS-S.

Leia mais:

  • SK hynix vai investir mais de US$ 38 bilhões para construir novas fábricas de memória
  • Sandisk e SK hynix divulgam primeiras especificações para memórias HBF
  • Patente revela chip de IA da OpenAI com memória massiva e tecnologia estilo Intel EMIB

A competição pelo HBM4 está se aproximando do seu clímax e deverá revelar seus principais resultados no início do próximo ano. Nesse cenário, empresas como SK hynix e Samsung demonstram suas preparações para continuar competindo nas futuras gerações desta tecnologia de memória, especialmente diante da crescente demanda impulsionada pela inteligência artificial generativa.

Via: WCCFTech

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