O muro da memória voltou a ser tema de intenso debate técnico com a recente apresentação da Micron durante o evento Hot Chips 2026. A companhia destacou que o avanço no poder de processamento tem sido mais acelerado em comparação à largura de banda da memória, evidenciando um aumento na distância entre essas duas áreas a cada nova geração de aceleradores.
É importante esclarecer alguns dados frequentemente mal interpretados: a capacidade computacional cresce aproximadamente três vezes a cada dois anos, enquanto a banda do HBM não chega a duplicar nesse intervalo.
A comparação correta é entre um crescimento de 3x em relação a algo inferior a 2x, o que indica uma diferença significativa, mas não uma vantagem tão extrema.
Por que essa discrepância se amplia
Embora possa parecer uma diferença pequena, essa disparidade se transforma em um grande abismo ao longo do tempo. Em um período de quatro anos, a capacidade de computação pode aumentar até nove vezes, enquanto a memória tende a crescer apenas cerca de quatro vezes, resultando em um acúmulo crescente da desvantagem a cada ciclo bianual.
Esse fenômeno é bem conhecido por quem opera Data Centers: os aceleradores frequentemente ficam inativos, aguardando dados. Apenas adicionar mais unidades de processamento não resolve o problema quando o gargalo se encontra na entrega de informações, e é por isso que essa situação é referida como um muro.
“A computação avança cerca de 3 vezes a cada dois anos, enquanto a memória não chega a dobrar.”
Dados que ilustram o problema
Um dos dados mais impactantes apresentados diz respeito à proporção física da memória nos produtos. Em uma GPU típica que possui quatro pilhas de HBM com 12 camadas, cerca de 90% do silício utilizado é dedicado à memória.
Isso significa que existe oito vezes mais silício para memória do que para o processador gráfico no mesmo encapsulamento. Essa estatística desafia a ideia comum de que a GPU é o componente principal, já que em termos de área ocupada pelo silício, ela representa uma fração menor do total no produto.
A escassez de memória também ajuda a explicar por que os preços dos aceleradores estão tão elevados. Quando 90% do silício de um produto provém de um componente escasso, isso naturalmente impacta no custo final.
As três abordagens propostas pela Micron
A empresa revelou três novas arquiteturas em desenvolvimento para mitigar esse gargalo, todas focadas na relação física entre processamento e armazenamento.
As duas primeiras abordagens são melhorias sobre o arranjo atual: a memória 2.5D anexada e a 2.5D avançada, ambas mantendo os componentes lado a lado e aprimorando as conexões entre eles.
A terceira proposta é mais inovadora: trata-se da DRAM com processamento embutido, ou processing-in-memory. Esta técnica permite que parte dos cálculos ocorra dentro da própria memória, eliminando assim o transporte dos dados e atenuando o gargalo mencionado anteriormente.
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Soluções divergentes apresentadas na mesma conferência
No Hot Chips deste ano, ficou evidente que o setor reconhece o problema existente e apresenta soluções distintas. A Micron propõe a aproximação entre cálculo e memória, chegando ao ponto de integrá-los fisicamente.
Por outro lado, durante o mesmo evento, a Samsung apresentou sua abordagem oposta com zHBM, empilhando as memórias sobre os processadores para reduzir essa distância. Ambas as respostas visam resolver um mesmo dilema, mas ainda não há previsões concretas sobre datas para produção.
Ao mesmo tempo, as fronteiras entre armazenamento e processamento continuam se tornando indistintas, fazendo com que o termo GPU se torne menos preciso ao descrever produtos nos quais quase todo o silício é dedicado à memória.
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